更新时间:2017-06-28
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InGaN/GaN多量子阱的PL谱和EL谱测试
● 样品提供:KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于蓝宝石衬底MOCVD 生长的 InGaNGaN 量子阱
● 测试条件:325nm激发,功率30mW
● 糖心VLOG在线范围:340-700nm
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